Siltronic bietet ein breites Spektrum an Waferprodukten für die Anwendung in Halbleitern an. Mit unseren Technologien im Bereich Kristallziehen, Wafering und Epitaxie können wir unsere Produkte genau an die Kundenanforderungen anpassen.

Dank der umfassenden Ausstattung mit EPI-Reaktoren (Epitaxial Reactor) kann Siltronic optimal auf die verschiedensten technischen Anforderungen abgestimmte Lösungen anbieten. Je nach Anforderung verwenden wir dafür Pancake-, Barrel-, Minibatch- und Einzelwafer-EPI-Reaktoren. Die Herstellung unterschiedlich starker EPI-Schichten ist ebenso möglich sowie die mehrschichtiger epitaxierter Wafer.


Ultimate Silicon™

Der optimale Kristall für polierte Wafer: ideal für CMOS-Spitzentechnologien und Speicherchips.


Ultimate Silicon ist Siltronics Wafer für CMOS-Spitzentechnologien wie DRAM oder NAND-Bauelemente. Der Ultimate Silicon-Kristallziehprozess erfüllt die höchsten Anforderungen bezüglich Sauerstoffkonzentration und Defektdichte.

Siltronic bietet Ultimate Silicon - Wafer mit Durchmessern von 200 mm und 300 mm an.

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Zonenziehen / FZ

Das sog. Float-Zone-Verfahren, auch Zonenziehen genannt, erlaubt die Herstellung besonders reiner Kristalle, die mit sehr hohem elektrischem Widerstand und langer Ladungsträgerlebensdauer punkten. Siltronic ist seit vielen Jahren weltweit führend in der FZ-Technologie und bietet seit 2002 auch FZ-Kristalle mit 200 mm Durchmesser an.


Die Float-Zone-Methode der Siliziumkristallproduktion ist optimal zur Herstellung besonders reiner Kristalle geeignet Die Kristalle zeigen andere Materialeigenschaften als CZ-Kristalle, insbesondere enthalten sie weniger Sauerstoff, da das flüssige Silizium beim Zonenziehen nicht in Kontakt mit einem Quarztiegel kommt. So können Kristalle mit sehr hohem elektrischem Widerstand und langer Ladungsträgerlebensdauer hergestellt werden. Diese werden vor allem für die Herstellung von Leistungshalbleitern und für Hochspannungsanwendungen benötigt.

Siltronic ist seit vielen Jahren führend in der FZ Technologie. Seit 2002 bieten wir auch FZ Kristalle mit 200 mm Durchmesser an. Unser Prozesstechnologie-Team arbeitet, in enger Zusammenarbeit mit Kunden und unterstützt durch leistungsstarke Computersimulationen, kontinuierlich an der Verbesserung der Verfahren. Eines der Hauptziele ist dabei die Minimierung der Widerstandsvariation.

Für anspruchsvolle Anwendungen hat Siltronic das Produkt PowerFZ® entwickelt, das ebenfalls auf dem Zonenziehverfahren basiert. PowerFZ® Wafer zeichnen sich durch einen besonders flachen radialen Widerstandsverlauf aus. Das homogene Widerstandsprofil eignet sich besonders für PowerMOS- und IGBT-Anwendungen. PowerFZ® Wafer bieten als Alternative zu NTD Wafern ein hervorragendes Kosten-Nutzen-Verhältnis.

 

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HIREF®

Nicht-poliert und extra dünn: diese Wafer überzeugen mit geringer Mikrorauigkeit und defektarmer Oberflächenstruktur. Sie sind, gerade im Bereich diskreter Anwendungen, eine ideale Alternative zu diffundierten, sehr dünnen polierten und doppelseitig polierten Wafern.


HiREF® (High Reflectivity) Wafer sind nicht-polierte Wafer für anspruchsvolle Anwendungen in diskreten Bauteilen, Detektoren und MEMS. Siltronic stellt HiREF®-Wafer mit einem Durchmesser von 125 mm und 150 mm her. Sie sind verfügbar als CZ- oder FZ-Material, in allen Widerstandsbereichen und Dotierstoffen.


Vergleich von Waferparametern

HiREF®-Wafer weisen gegenüber glanzgeätzten Wafer eine deutlich geringere Mikrorauigkeit sowie eine verbesserte Geometrie auf. Sie liegen in ihrer Qualität nur geringfügig unter geläppten Wafern. 

HiREF®-Wafer stehen in verschiedenen Dicken von 100 µm bis 1500 µm zur Verfügung. Ihre besonderen Produkteigenschaften und die geringe Dicke machen HiREF®-Wafer zu einer Alternative zu diffundierten Wafern, aber auch zu sehr dünnen polierten und doppelseitig polierten Wafern für diskrete Anwendungen.


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Annealed Wafer

Der Wafer mit präzipitationsfreier Oberflächenzone.


Argon-annealed Wafer werden in erster Linie für CMOS-Technologieprozesse verwendet. Mit Hilfe spezieller thermischer Prozesse wird die Präzipitation des intrinsischen Sauerstoffs so kontrolliert, dass eine präzipitationsfreie Zone an der Waferoberfläche entsteht.

Siltronic bietet argon-annealed Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm an.

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