Siltronic schließt Projekt zur Erforschung des Grundmaterials für neuartige Transistor-Technologien erfolgreich ab

Die Siltronic AG, einer der führenden Hersteller von Siliciumwafern, hat das Projekt "Silicium-basierte Grundmaterialien für 3-dimensionale Transistoren" (SIGMADT) erfolgreich abgeschlossen. Es wurde für einen Zeitraum von 30 Monaten mit einer Zuwendung von 3 Millionen Euro an die Siltronic AG vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) gefördert. Ziel dieser Grundlagenforschung war es, die Eigenschaften des Siliciumwafers auf die Anforderungen zukünftiger 3-dimensionaler Transistoren optimal abzustimmen. Mit weiter zunehmender Integrationsdichte wird es künftig immer schwieriger, elektronische Bauelemente für anspruchsvolle Anwendungen in der Nanoelektronik wie z.B. Navigationssysteme oder Computertomographen in nur einer Ebene zu realisieren. Um höhere Leistungsfähigkeiten und einen geringeren Energieverbrauch zu erreichen, ist der Übergang auf die dritte Dimension ein wichtiger Schritt. Um diese Herausforderungen meistern zu können, ist als Grundmaterial ein entsprechend in der Qualität verbesserter Wafer eine unabdingbare Voraussetzung.

Die Entwicklung eines innovativen mechanischen Planarisierungsschrittes war ein wichtiges technologisches Ergebnis, um die topologische Variation der Waferoberfläche entscheidend zu verbessern. Diese Nanotopologie ist ein entscheidender Produktparameter für die Planarisierung dielektrischer Schichten. Sie schließt die Lücke zwischen der für die Lithographie wichtigen lokalen Ebenheit und der für die Oberflächenqualität wichtigen Mikrodefektdichte bzw. Rauhigkeit. Die neue Technologie verspricht nicht nur für die Oberflächentopologie besondere Vorteile sondern erweist sich auch besonders umweltfreundlich, da nur Silicium und Wasser als Nebenprodukte anfallen. Weitere technologische Herausforderungen, die bearbeitet wurden, waren die Verbesserung der lokalen Ebenheit im Randbereich und in der Fläche des 300 mm-Wafers, sowie eine Absenkung von Mikrodefektdichten an der Waferoberfläche. Dabei erreichen diese Produkteigenschaften nun Werte, die das Grundmaterial Silicium für die Erzeugung kritischer Bauelementedimensionen unterhalb von 32 nm fit machen. Nach Abschluss des Projekts integriert Siltronic die entwickelten Prozesse und Werk-zeuge an den Standorten Burghausen und Freiberg in eine marktreife Prozesskette, um dann in hohen Stückzahlen Siliciumwafer für die neuesten Bauelementegenerationen zu produzieren.

Das im Rahmen der Hightech-Strategie der Bundesregierung geförderte Projekt SIGMADT ermöglichte die frühzeitige Zusammenarbeit in einem strategischen Forschungsbereich, welche die Kooperationspartner IHP GmbH – Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (Frankfurt/Oder), Semiconductor Technology Research (Erlangen), Institut für Elektrothermische Prozesstechnik (Hannover) und Fa. NanoPhotonics AG (Mainz) als Unterauftragnehmer der Siltronic AG mit einschließt.

Über Siltronic

Siltronic ist einer der Weltmarktführer für Wafer aus Reinstsilicium und Partner vieler führender Chiphersteller. Wir entwickeln und produzieren Wafer mit Durchmessern bis zu 300 mm an Standorten in Europa, Asien, Japan und USA.

Siliciumwafer sind die Grundlage der modernen Mikro- und Nanoelektronik – für Computer, Mobiltelefone, Internet, DVD-Player, Flachdisplays, Navigationssysteme, Airbags, Computer-tomografen, Flugzeugsteuerungen und vieles mehr.

Weitere Informationen unter www.siltronic.com .


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