Epitaxie bezeichnet die Abscheidung einer Kristallschicht auf der Waferoberfläche. Dabei wird auf der polierten Kristalloberfläche eines Siliziumwafers eine weitere, einkristalline Siliziumschicht abgeschieden. Unabhängig vom polierten Substrat können bei diesem Vorgang die Materialeigenschaften eingestellt werden und so Wafer erzeugt werden, die in Substrat und Epitaxieschicht unterschiedliche Eigenschaften zeigen. Dies ist in vielen Fällen für die Funktion des Halbleiterbauteils unverzichtbar.
Siltronic bietet epitaxierte Wafer mit Durchmessern bis 300 mm an. Während die 300 mm EPI Wafer vor allem in höchst-integrierten Halbleiterbauelemente (ICs) zum Einsatz kommen, werden kleinere Durchmesser auch für Leistungsanwendungen eingesetzt. Um den verschiedenen Anforderungen gerecht zu werden, werden Substrate und Epitaxie-Schichten kundenspezifisch ausgelegt. Darüber hinaus entwickelt Siltronic GaN-epitaxierte Wafer in den Durchmessern 150 mm und 200 mm auf eigenen Substraten mit optimierten Waferdicken und Widerständen sowie GaN-Schichten, die für Leistungs- und RF-Anwendungen optimiert sind an.
