Für anspruchsvolle Anwendungen hat Siltronic das Produkt PowerFZ ® entwickelt. Das Verfahren, mit dem diese Marke gefertigt wird, reduziert die radialen Widerstands-variationen durch Kontrolle der Striations während des Kristallwachstums.

Das führt zu einem sehr homogenen Widerstandsprofil, das sich für PowerMOS- und IGBT-Anwendungen eignet. Der PowerFZ®-Prozess basiert auf dem herkömmlichen Zonenziehverfahren. Durch den Wegfall der zeit- und kostenaufwändigen NTD-Bestrahlung und Nachbehandlung entsteht ein Produkt von hervorragendem Kosten-Nutzen-Verhältnis mit kurzen Lieferzeiten.