HiREF® (High Reflectivity) Wafer sind nicht-polierte Wafer für anspruchsvolle Anwen-dungen. Aufgrund ihrer speziellen Eigenschaften sind HiREF®-Wafer für diskrete Bauelemente mit hohen Oberflächen- und engen Geometrieanforderungen bestimmt, sowie für Detektoren und MEMS-Anwendungen. Durch ihre geringe Dicke stellen sie auch eine Alternative zu diffundierten Wafern dar. Darüber hinaus sind HiREF®-Wafer eine Alternative zu sehr dünnen polierten und doppelseitig polierten Wafern für diskrete Anwendungen.
Siltronic stellt HiREF®-Wafer mit einem Durchmesser von 125 mm und 150 mm und Nicht-Standarddicken von 100 bis 1500 µm her. Weitere allgemeine Eigenschaften:
- Verfügbar für CZ und FZ in allen Widerstandsbereichen und Dotierstoffen
- Hochreflektierende (> 98 %) Oberfläche auf beiden Seiten
- Auflösungsvermögen der Linienbreite in automatisiertem Lithographieverfahren bis 1,0 µm
- Enge Geometrietoleranz
- Gate Oxid-Qualität ab 650 Å entspricht der eines polierten Wafers
Vergleich von Waferparametern
HiREF®-Wafer weisen eine deutlich bessere Oberflächenstruktur auf als glanzgeätzte Wafer und schließen somit die Lücke zu polierten Wafern. Im Vergleich zu glanzgeätzten Wafern bieten HiREF ®-Wafer darüber hinaus eine entscheidende Verbesserung der Mikrorauhigkeit. Die auf der Oberfläche von HiREF® -Wafern sichtbare Linienstruktur stammt von einem Schleifvorgang. Die Struktur ist damagefrei, da der Wafer nach dem Schleifen einem Ätzprozess unterworfen wird. Darüber hinaus weisen HiREF® -Wafer im Vergleich zu glanzgeätzten Wafern eine deutlich verbesserte Geometrie auf. HiREF®-Wafer liegen in ihrer Qualität nur geringfügig unter geläppten Wafern. Der Warp wird nicht beeinträchtigt.
1) AFM
2) Tencor Profiler P10 / P11. Daten aus AFM und Tencor-Profiler können ungefähr verglichen werden (80-µm-Filter)
HiREF® als Alternative zu diffundierten Wafern
HiREF®-Wafer stehen in verschiedenen Dicken bis 100 µm zur Verfügung. Die end-gültige Dicke des Bauelements kann also bereits am Ausgangswafer eingestellt werden. Dadurch werden tiefe Rückseitendiffusionen überflüssig. Erhebliche Ein-sparungen im Bauelementeprozess werden erzielt. Die Hauptschwierigkeit liegt in der Handhabung eines relativ dünnen Wafers ab dem Beginn der Verarbeitung.