Die FZ-Methode der Siliciumkristallproduktion versieht einen Einkristall mit beachtlichen Vorteilen. Wegen des fehlenden Sauerstoffs im flüssigen Silicium während des FZ-Prozesses, gibt es keine Auswirkungen des Wärmedonators und keine Sauerstoff-ablagerungen. Das Ergebnis: ein Siliciumwafer mit extrem stabiler Widerstands-leistung und hoher Trägerlebensdauer.

Jahre mit Floatzone-Erfahrung verbunden mit einer zahlenmäßig leistungsstarken Simulationsgruppe ermöglichen Siltronic-Innovationen und konstante Verbesserungen an unsere Kunden weiterzugeben.

Eines der Hauptziele ist eine dauerhafte Senkung der gesamten Widerstands-variationen.