Während es 200 mm gezogenes Material (nach Czochralski) seit Mitte der 80er Jahre gibt, wurde die technische Grenze im FZ-Kristallziehen bei 150 mm vor langer Zeit erreicht. Im Jahr 2002 gelang es Siltronic, als einer der ersten Halbleiterhersteller weltweit, 200 mm-FZ-Einkristalle zu ziehen und 200 mm-FZ-Wafer zu produzieren. Seit dieser Zeit hat Siltronic fortlaufend die Kapazität ausgebaut.

Siltronic hat die Herausforderung des Marktes angenommen und festigt wieder ihre Spitzenstellung in der Floatzone-Technologie. Zahlenmäßig leistungsstarke Simulationen erlauben es, den Strom der Dotiersubstanz in der Schmelze zu visualisieren und daher das Ziehverfahren zu optimieren, um eine bestmögliche Widerstandsgleichmäßigkeit zu erreichen (besonders im Waferzentrum, wo die Variation in der FZ-Technologie am höchsten ist).