- 14,5 Millionen Euro für die Entwicklung von schnellen und sparsamen elektronischen Bauelementen
Jülich / München, 23. März 2009 – Elektronische Geräte erleichtern uns in Beruf und Freizeit den Alltag. Mit dem Verbundprojekt DECISIF wollen Partner aus Industrie und Wissenschaft die Möglichkeiten von sogenanntem verspannten Silizium erforschen, um noch schnellere und energieeffizientere Elektronikbausteine für Laptops, Handys und MP3-Player herstellen zu können.
DECISIF ist ein wichtiger Meilenstein für die zukünftige Fertigung von noch leistungsfähigeren Mikroprozessoren und Speichern mit geringerem Energieverbrauch und damit längeren Betriebszeiten.
Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) hat 8,1 Millionen Euro für das Projekt DECISIF bewilligt (DEvice and CIrcuit performance boosted through SIlicon material Fabrication). Weitere 6,4 Millionen Euro steuern die Verbundpartner GLOBALFOUNDRIES Dresden, Siltronic AG, AIXTRON AG, Forschungszentrum Jülich und das Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik bei. Durch das EU-Projekt Medea wird auch mit den französischen Partnern STMicroelectronics, SOITEC und LETI kooperiert. Projektkoordinator ist Prof. Siegfried Mantl vom Forschungszentrum Jülich.
Verspanntes Silizium mit den genannten günstigen Eigenschaften wird u.a. mit dem patentierten Verfahren des Forschungszentrums Jülich hergestellt. Durch mechanische Verspannung weitet sich das Kristallgitter des Siliziums und verändert dabei seine elektronischen Eigenschaften: Die Ladungsträger können sich erheblich schneller durch den Transistor bewegen, die mögliche Schaltfrequenz steigt und die Leistungsaufnahme sinkt. Damit öffnet sich der Weg zu leistungsfähigeren und dabei immer kleineren Transistoren. Zum Erreichen besonders hoher Ladungsträgerbeweglichkeiten in Transistoren sollen auch die Vorteile des (global) verspannten Siliziums mit neuen Verfahren zur Erzeugung lokaler Verspannungen kombiniert werden. Hierzu werden Verfahren der Nanostrukturierung genutzt.
DECISIF schlägt die Brücke von der Grundlagenforschung mit verspanntem Silizium hin zu anwendungsnaher Technik. Die Kombination des neuen verspannten Siliziums mit der bekannten Silicon On Insulator-Technik soll zur Entwicklung einer neuen Material-Generation auf industriekompatiblen 300-Millimeter-Wafern führen. Diese bieten die Basis für zukünftige Bauelementetechnologien und Transistoren mit Strukturgrößen bis zu 22 Nanometern.
Unternehmensprofil
Siltronic ist einer der Weltmarktführer für Wafer aus Reinstsilicium und Partner vieler führender Chiphersteller. Wir entwickeln und produzieren Wafer mit Durchmessern bis zu 300 mm an Standorten in Europa, Asien, Japan und USA.
Siliciumwafer sind die Grundlage der modernen Mikro- und Nanoelektronik – für Computer, Mobiltelefone, Internet, DVD-Player, Flachdisplays, Navigationssysteme, Airbags, Computertomografen, Flugzeugsteuerungen und vieles mehr.
Diese Pressemitteilung enthält in die Zukunft gerichtete Aussagen, die auf Annahmen und Schätzungen der Unternehmensleitung von Siltronic beruhen. Obwohl wir annehmen, dass die Erwartungen dieser vorausschauenden Aussagen realistisch sind, können wir nicht dafür garantieren, dass die Erwartungen sich auch als richtig erweisen. Die Annahmen können Risiken und Unsicherheiten bergen, die dazu führen können, dass die tatsächlichen Ergebnisse wesentlich von den vorausschauenden Aussagen abweichen. Zu den Faktoren, die solche Abweichungen verursachen können, gehören u.a.: Veränderungen im wirtschaftlichen und geschäftlichen Umfeld, Wechselkurs- und Zinsschwankungen, Einführung von Konkurrenzprodukten, mangelnde Akzeptanz neuer Produkte oder Dienstleistungen und Änderungen der Geschäftsstrategie. Eine Aktualisierung der vorausschauenden Aussagen durch Siltronic ist weder geplant noch übernimmt Siltronic die Verpflichtung dafür.