| 2006 |
Joint Venture mit Samsung Electronics Co zum Bau einer
300 mm-Siliciumwafer-Fabrikationsanlage in Singapur |
| 2004 |
Produktionsstart der 300 mm-Siliciumwafer-Fabrikationsanlage in Freiberg |
| 2004 |
Lizenzvertrag mit Soitec über Nutzung von Soitecs SMART-CUT™ - Technologie |
| 2004 |
Umfirmierung in Siltronic AG |
| 2003 |
Übernahme von 100 Prozent an der Wacker NSCE Corporation |
| 2002 |
Baubeginn der neuen 300 mm-Siliciumwafer-Fabrikationsanlage in Freiberg |
| 2000 |
Gründung der Wacker NSCE Corporation, Japan: Joint Venture mit der Nippon Steel Corporation |
| 1999 |
Produktionsstart der Fabrikationsanlage in Singapur |
| 1998 |
Inbetriebnahme der ersten Ausbaustufe der
300 mm-Pilotfertigungslinie in Burghausen |
| 1997 |
Gründung der Wacker Siltronic Singapore Pte. Ltd. |
| 1997 |
Fertigstellung einer der weltweit modernsten 150 mm-Fertigungslinie in Freiberg |
| 1996 |
Umfirmierung der Wacker Siltronic GmbH in eine Aktiengesellschaft |
| 1994 |
Umfirmierung in Wacker Siltronic GmbH |
| 1990 |
Erste 300 mm-Wafer-Forschungsaktivitäten |
| 1984 |
Erster 200 mm-Wafer bei Wacker-Chemitronic |
| 1978 |
Gründung der Wacker Siltronic Corporation in Portland (USA) |
| 1968 |
Gründung der Wacker-Chemitronic GmbH |
| 1962 |
Entwicklung des ersten Siliciumwafers |
| 1961 |
Anlagen zur Reinstsiliciumherstellung nehmen die großtechnische Erzeugung auf |
| 1959 |
Erste Zonenziehanlage im neuen Reinstsiliciumbau geht in Betrieb |
| 1953 |
Beginn der Forschung und Entwicklung im Bereich Reinstsilicium |